在芯片封裝測試流程中，晶圓減薄和晶圓切割工藝需要測量晶圓膜厚,、粗糙度,、平整度（翹曲），晶圓切割槽深,、槽寬,、崩邊形貌等參數(shù)。

中圖儀器SuperViewW1光學表面3d輪廓測量儀針對芯片封裝測試流程的測量需求,，X/Y方向標準行程為140*100mm,，滿足減薄后晶圓表面大范圍多區(qū)域的粗糙度自動化檢測、鐳射槽深寬尺寸,、鍍膜臺階高等微納米級別精度的測量,。而SuperViewW1-Pro 型號增大了測量范圍，可覆蓋8英寸及以下晶圓,，定制版真空吸附盤,，穩(wěn)定固定Wafer；氣浮隔振+殼體分離式設計,，隔離地面震動與噪聲干擾,。

技術參數(shù)（部分）

Z向分辨率：0.1nm

橫向分辨率(0.5λ/NA)：100X~2.5X：0.5um~3.7um

粗糙度RMS重復性：0.1nm

表面形貌重復性：0.1nm

臺階測量:重復性：0.1% 1σ；準確度：0.75%

注釋：更多詳細參數(shù),，可聯(lián)系我們獲取,。

光學表面3D輪廓儀具有的測量晶圓翹曲度功能，非常適合晶圓,，太陽能電池和玻璃面板的翹曲度測量,，應變測量以及表面形貌測量。接觸式和光學三維輪廓儀的結合，既可以用于科學研究,，也可以用于工業(yè)產(chǎn)品的檢測,。

對wafer減薄后無圖晶圓粗糙度測量：

封裝制程中對Wafer的切割：

對Die的輪廓分析及蝕刻深度測量：

結果組成

1、三維表面結構：粗糙度,，波紋度,，表面結構，缺陷分析,，晶粒分析等,；

2、二維圖像分析：距離,，半徑,，斜坡，格子圖,，輪廓線等,；

3、表界面測量：透明表面形貌,，薄膜厚度,，透明薄膜下的表面；

4,、薄膜和厚膜的臺階高度測量,；

5、劃痕形貌,，摩擦磨損深度,、寬度和體積定量測量；

6,、微電子表面分析和MEMS表征,。

中圖儀器光學表面3d輪廓測量儀以白光干涉技術為原理，能夠以優(yōu)于納米級的分辨率,，非接觸測量樣品表面形貌的光學測量儀器,，用于表面形貌紋理，微觀結構分析,，用于測試各類表面并自動聚焦測量工件獲取2D,，3D表面粗糙度、輪廓等一百余項參數(shù),，廣泛應用于光學,，半導體，材料,，精密機械等領域,。